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PT124G-310擴散硅壓力傳感器芯體

PT124G-310擴散硅壓力傳感器芯體耐腐蝕性好由于擴散硅材料本身優良的化學防腐性能好，即使傳感器受壓面不隔離，也能在普通使用中適應各種介質。硅材料又與硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔離時結構工藝更易于實現。加之它的低電壓、低電流、低功耗、低成本和本質安全防爆的特點，可替代諸多同類型的同功能產品，具有*良的性能價格比。

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更新日期
2024-11-05

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PT124G-3500型耐高溫單晶硅壓力傳感器

PT124G-3500-60/60J耐高溫單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩等特性。內嵌強大信號處理模塊，能實現靜壓、差壓與溫度的寬范圍補償，能提供*的穩定性和測量高精度。

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2024-11-05

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PT124G-3500型高精度單晶硅差壓傳感器

PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

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2024-11-05

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PT124G-3500哈氏合金單晶硅差壓傳感器

PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

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PT124G-3500316L不銹鋼單晶硅差壓傳感器

PT124G-3500-55/55D系列316L不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

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PT124G-3500負壓測量單晶硅差壓傳感器

PT124G-3500-55/55D系列負壓測量單晶硅差壓傳感器采用進口先進MEMS技術制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產生與壓力成正比例關系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個相應壓力差的的標準測量信號。

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